近日，有行业消息指出，三星电子正考虑调整其存储芯片的产能分配，可能削减部分高性能存储（HBM3E）的产量，同时将更多资源转向利润更高的通用内存产品。
据报道，三星计划将其用于生产HBM3E内存的1a纳米制程DRAM产能削减30%至40%。这部分产能将转换为生产基于1b纳米工艺的通用内存，例如DDR5、LPDDR5x等。消息人士分析，此举主要出于最大化利润的考虑。
促使三星做出这一评估的市场背景在于，当前人工智能（AI）需求旺盛，但HBM产能同时受到挤压且短期扩产有限，导致通用内存产品价格持续快速上涨。相比之下，尽管HBM因用于AI芯片而备受关注，但三星在HBM3E领域的供货规模相对有限，且其产品平均售价比主要竞争对手低约30%。此外，行业预测HBM3E价格自2026年起可能显著下降。这些因素使得扩大通用内存产能在当前阶段显得更具盈利吸引力。
若调整计划得以实施，三星1b纳米制程的月投片量有望额外增加约8万片晶圆。这一产能转换将涉及从生产HBM3E的1a纳米工艺，以及更为成熟的1z纳米等工艺生产线进行调配。
业内观察指出，三星这一潜在的产能策略转向，反映了其在快速变化的市场中权衡不同产品线利润率的灵活应对。该调整是否成行及其对全球内存市场供应格局的具体影响，仍有待后续观察。
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