随着人工智能加速器对高性能存储需求的持续增长，存储半导体行业正迎来新一轮技术竞赛。据悉，三星电子与SK海力士正加速推进第七代高带宽内存HBM4E的研发进程，力争在明年上半年完成技术开发。
行业分析显示，从HBM4E开始，存储市场将迎来重要转折——产品形态将从通用型标准品逐步转向定制化解决方案。这意味着核心组件逻辑裸片将根据客户需求进行个性化设计与制造，这一变化将重塑行业竞争格局。
目前，两大韩国存储巨头已全面投入市场竞争。根据兴国证券预测，2025年HBM需求同比增速将达77%，到2027年HBM4E将占据整个HBM市场需求的40%。这一增长动力主要来自英伟达“Rubin”平台等新一代AI加速器的强劲需求，搭载HBM4E的加速器预计在2027年正式面世。
在当前的HBM4市场中，SK海力士凭借与英伟达的紧密合作占据领先地位，已率先敲定明年HBM4的供货协议。而三星电子虽然已进入英伟达供应链，但具体供货细节仍在协商中。
业内观察人士指出，定制化趋势可能带来市场格局的重塑。三星电子凭借其完整的晶圆代工能力，在逻辑裸片定制方面具备独特优势。该公司从HBM4开始就采用自研代工工艺生产逻辑裸片，积累了宝贵经验。
与此同时，美光科技也积极布局HBM4E市场，与台积电展开合作。这与SK海力士选择台积电代工逻辑裸片的策略相似，反映出行业对先进制程依赖度的提升。
随着全球科技企业纷纷自研AI加速器，对定制化HBM产品的需求日益多元化。这场围绕HBM4E的技术竞赛，不仅关乎存储芯片性能的提升，更是全产业链协同创新能力的综合较量。
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