近日，据韩媒相关报道，三星电子正全力推进下一代高带宽内存（HBM）芯片研发，计划在第七代产品HBM4E中引入2nm制程工艺，借助自身在内存制造与半导体代工领域的协同优势，进一步巩固行业技术领先地位。
行业内部消息显示，三星目前正针对HBM4E的基础裸片（base die）开展2nm制程的评估工作。从技术原理来看，HBM芯片由核心裸片（core die）与基础裸片构成，其中核心裸片是垂直堆叠的DRAM，基础裸片则承担控制器职能。
值得注意的是，在HBM3E及之前的产品中，基础裸片仅负责简单的控制任务，而进入HBM4时代后，其功能大幅升级，需直接处理部分计算任务，逻辑电路复杂度显著提升，成为影响HBM性能的关键核心。
此前，为提升HBM4的性能表现，三星已联动自家晶圆代工部门，采用4nm制程生产基础裸片，并搭配最先进的1c DRAM（第六代10nm工艺），凭借制程优势，成功超越采用台积电12nm工艺的SK海力士。
业内预测，HBM4E将开启客户定制化新时代，三星计划于今年年中发布标准版HBM4E，下半年将根据客户需求，启动定制化产品的首次流片工作，持续推动HBM技术向更高性能、更具针对性的方向升级。
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