4月9日消息，半导体设备巨头应用材料（Applied Materials）于美国当地时间4月8日正式宣布，推出两款专为“埃级”工艺设计的沉积设备系统，目前这两款设备已被领先逻辑芯片制造商导入2nm及以下尖端工艺生产中，为半导体先进制程发展提供有力支撑。
应用材料方面表示，随着芯片制程不断向精细化升级，GAA全环绕栅极结构已成为尖端工艺的必然选择，该结构能显著提升芯片能效，但相较于传统FinFET结构更为复杂，制造过程需经过超过500道工序，其中诸多工序都依赖全新的材料沉积方法。
此次推出的两款新设备中，Applied Producer Precision Selective Nitride PECVD尤为引人注目。这是一款等离子体增强化学气相沉积系统，主要应用于分隔相邻晶体管的浅沟槽隔离结构，采用创新的自下而上选择性沉积工艺。
该工艺可精准在沟槽必要位置，向氧化硅绝缘介质上沉积致密的氮化硅层，有效保护绝缘介质免受后续制造工序的侵蚀，进一步提升芯片制造的可靠性与良率，为2nm及以下尖端逻辑制程的规模化推进奠定坚实基础。
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