4月22日消息，据相关咨询机构博文报道，半导体巨头SK海力士已在美国印第安纳州启动首座半导体先进封装工厂的建设工作，此次投资规模约38.7亿美元，折合人民币约264.57亿元，计划于2028年下半年实现投产。
该工厂核心定位为满足AI算力领域对高带宽内存的激增需求，主要生产第七代（HBM4E）和第八代（HBM5）高带宽内存产品。据悉，相关建设工作已提前启动，4月17日已正式开展地基打桩作业，预计该环节将持续数月，2026年下半年进入主体建筑施工阶段。
除美国厂区建设外，SK海力士同步加码韩国本土产能，计划投资约19万亿韩元在清州建设下一代先进封装工厂，预计2027年底完工，同时加速推进DRAM产能扩张，多项厂区建设工作有序推进。
