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3D存储半导体企业官宣X-DRAM概念验证成功，可利用现有产线制造

作者：pintuo 发布时间：2026-04-24 点击数：
4月24日消息，美国加州3D存储半导体IP企业于当地时间4月23日宣布，其研发的X-DRAM技术已成功完成概念验证芯片制造，这一成果证实该3D堆叠内存可直接利用现有3D NAND闪存生产线进行制造，无需额外投入产线改造成本。
据悉，该X-DRAM验证芯片表现亮眼，实现10¹⁴循环耐久，读写延迟低于10ns，在85℃环境下的数据保持时间超过1秒，这一数据是行业标准DRAM规定值的15倍，展现出优异的性能优势。与此同时，该企业同步宣布获得新一笔战略投资，为后续技术落地与发展提供支撑。


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