9月5日，中微半导体设备（上海）股份有限公司在CSEAC 2025第十三届半导体设备展上推出了六款半导体设备新品，涉及刻蚀、原子层沉积（ALD）及外延工艺领域。
在刻蚀领域，中微公司展示了新一代极高深宽比等离子体刻蚀设备——CCP电容性高能等离子体刻蚀机Primo UD-RIE。该设备基于Primo HD-RIE设计架构升级而来，拥有六个单反应台反应腔，配备更低频率、更大功率的射频偏压电源，具备高离子轰击能量，满足极高深宽比刻蚀的精度和效率要求。此外，Primo UD-RIE还引入了自研动态边缘阻抗调节系统、上电极多区温控系统等创新技术，改进了晶圆边缘刻蚀良率。同时发布的还有专注于金属刻蚀的Primo Menova 12英寸ICP单腔刻蚀设备，适用于功率半导体、存储器件及先进逻辑芯片制造。
在原子层沉积方面，中微公司推出了Preforma Uniflash金属栅系列设备，包含TiN/TiAl/TaN三个版本，满足先进逻辑与先进存储器件在金属栅方面的应用需求。该系列产品采用独创的双反应台设计，系统可配置多达五个双反应台反应腔，实现业界领先的生产效率。
对于外延工艺，中微公司推出了全球首款双腔减压外延设备PRIMIO Epita RP。该设备拥有全球最小反应腔体积且可配置多至6个反应腔，降低消耗品用量、生产成本，提升生产效率。
此次发布的新品展示了中微公司在半导体设备领域的创新能力和技术实力。
