据行业媒体近日报道，全球主要存储芯片制造商计划在2025年第四季度上调产品价格。业内人士透露，三星电子、SK海力士等供应链企业已向客户发出通知，预计DRAM和NAND闪存价格将实现最高30%的涨幅。
这一市场动向已获得多家金融机构的证实。花旗银行、摩根士丹利在最新发布的行业研究报告中，将2025年第四季度DRAM芯片的平均售价涨幅预测上调至25%-26%，较原先预期提升了超过10个百分点。
行业观察人士指出，本轮涨价主要受人工智能应用带来的需求激增所驱动。谷歌、微软、亚马逊、Meta和OpenAI等科技企业正在大规模投入建设AI数据中心，这些设施对高容量、高性能存储芯片的需求持续攀升。
与此同时，高带宽内存（HBM）市场也呈现快速增长态势。据行业预测，到2030年，HBM市场规模有望达到1000亿美元，相比今年约300-400亿美元的市场规模实现显著提升。值得注意的是，计划于明年投入市场的12层堆叠HBM4产品，预计单价将达到500美元，较当前主流的HBM3E产品价格上涨超过60%。
市场分析显示，AI投资重点正从以数据训练为主，向推理服务化阶段扩展。这一转变不仅进一步刺激了对HBM的需求，也带动了传统DRAM市场的同步增长。存储芯片行业的这一轮价格调整，反映出全球数字经济基础设施建设正在进入新的发展阶段。
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