据外媒报道，随着人工智能发展推动存储半导体市场需求，三星电子正加快其韩国平泽半导体工厂的产能扩张步伐。在决定重启平泽P5生产线建设后，公司已启动相关基础设施招标，同时P4工厂的扩产计划也在同步推进。
行业消息指出，三星正在以竞标方式为P5工厂采购气体与化学品供应设备。有别于传统的“先建厂、后采购”模式，此次三星采取了主体施工、设备招标与安装同步推进的并行策略，旨在缩短投产周期，以更快响应市场对DRAM产品的旺盛需求。
平泽P5生产线位于三星第二园区内，近期公司已决定推进其主体工程建设，原计划目标投产时间为2028年。但由于当前存储芯片供应持续紧张，市场预测该产线投产时间可能会进一步提前。据悉，该项投资规模预计将达到数千亿乃至数万亿韩元。
与此同时，平泽P4工厂的扩建进程也在加速。该工厂主要生产10纳米级第六代1c DRAM，相关设备的导入与试运行进度已较原计划提前约两至三个月。其产出的芯片将用于明年的HBM4高端存储产品。
行业分析认为，尽管三星积极扩大产能，但由于工程建设仍需时间，预计存储市场供应紧张的局面在2026年内难以根本缓解，真正的产能释放可能需等待2026年底或2027年。三星此次快速调整产能布局，显示出其对市场动态的迅速反应与战略重视。
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