4月27日消息，盛美半导体（ACM Research）正式宣布，其自主研发的首台等离子体增强化学气相沉积（PECVD）碳氮化硅（SiCN）设备已顺利完成组装调试并正式出机，目前正发往客户端开展最终验证工作，标志着企业在半导体设备研发领域实现新突破。
据悉，该设备专门针对300mm（12英寸）晶圆工艺进行定制设计，核心适配55nm及以下制程后段金属互联工艺应用需求，同时可满足先进封装领域对SiCN薄膜的严苛要求，填补了相关领域设备研发的重要空白，助力半导体制造工艺向高端升级。
该设备在工艺设计上极具优势，采用旋转沉积模式，合理配置四个晶圆装载口与三个工艺腔体，实现高效晶圆传送与稳定工艺运行。其独特的工位设计的中，每个工位负责完成总膜厚三分之一的沉积任务，且各工位均配备独立射频系统，可实现对等离子体的独立控制，大幅提升工艺稳定性与一致性，最高工艺温度可达400℃，能够精准匹配高端半导体制造的工艺标准。
作为半导体制造中的关键设备，PECVD SiCN设备主要应用于后段金属互联工艺中的铜氧化抑制、铜扩散阻挡层及刻蚀停止层等关键环节，SiCN薄膜凭借高粘附性、高键合能及致密特性，可有效提升器件集成可靠性，抑制金属离子扩散，支撑更高密度器件架构的实现，对推动半导体产业向高端化、自主化发展具有重要意义。
