近日，英特尔代工部门宣布，已与ASML公司共同完成首台“第二代”High NA EUV（高数值孔径极紫外）光刻机TWINSCAN EXE:5200B的验收测试。与此前主要用于前期研发的EXE:5000机型相比，新款设备更侧重于量产应用，在多项关键性能上实现提升。
据悉，EXE:5200B配备了更高功率的EUV光源，晶圆处理能力达到每小时175片，生产效率显著提高。同时，该机型将套刻精度提升至0.7纳米水平，并通过改进晶圆存储结构，增强了设备在持续运行中的稳定性。这些进步为其未来投入大规模芯片制造奠定了重要基础。
在同一篇公告中，英特尔还提及，在近期举行的2025 IEEE IEDM（国际电子器件会议）上，其与比利时微电子研究中心imec合作，展示了基于12英寸试验线的先进晶体管技术成果，包括对2DFET材料氧化物帽层的选择性刻蚀，以及采用大马士革型顶接触结构的晶体管制造。
此次光刻机的顺利验收，标志着High NA EUV技术向实际量产迈出了关键一步，有望为下一代半导体工艺的开发与量产提供更强支撑。
