2 月 25 日，韩国科技媒体 The Elec 证实，三星电子计划在今年 3 月关闭华城 12 号生产线的 2D NAND 闪存生产，正式结束 2D NAND 闪存生产历史。
作为存储技术先行者，三星 2013 年实现 3D NAND（V-NAND）量产，推动行业进入立体存储时代。尽管技术迭代完成，三星仍保留少量 2D NAND 产能，满足特定利基市场需求。随着市场环境变化，维持老旧产线的经济价值降低，产能调整势在必行。
按照规划，华城 12 号线转型后将专注 1c nm DRAM 后端制造，包括金属布线与表面处理等工序，与同园区前端制程产线高效协同。除华城升级外，三星在平泽园区持续扩充 1c nm DRAM 产能，强化先进内存供应能力。
此次产线转型，体现三星聚焦高端存储的战略思路。在 AI 与数据中心需求驱动下，先进 DRAM 成为增长主力，三星通过关停低效产能、加码先进制程，进一步巩固全球存储芯片市场地位。
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