4月9日，英特尔代工服务（Intel Foundry）传来重磅消息，其成功达成全新发展里程碑——研发出全球首款且厚度最薄的氮化镓芯粒（GaN chiplet），厚度仅为19微米，这项突破为半导体行业的升级发展注入新活力。
据了解，该款氮化镓芯粒由英特尔代工事业部研究团队倾力打造，采用300毫米硅基氮化镓晶圆加工而成，在极致纤薄的尺寸下，成功实现更高功率、更快速度与更高能效的同步提升，有效突破了传统半导体在小型化与性能提升之间的矛盾。
此次成果的核心优势十分突出：其一，作为全球最薄的氮化镓芯粒，其基底硅片仅19微米厚，充分彰显英特尔在晶圆加工领域的顶尖技术实力；其二，创新实现氮化镓晶体管与传统硅基数字电路的单芯片集成，无需额外搭配独立辅助芯片，就能在电源芯粒中完成复杂计算；其三，经过严苛测试验证，该技术具备稳定的商用价值，可满足实际应用的可靠性要求，适配数据中心、下一代5G及6G通信等多个领域，助力打造更小巧、高效的电子设备。
此次突破不仅是英特尔在半导体领域的重要成果，更将为行业发展提供新方向，进一步巩固其在代工领域的核心竞争力，推动相关产业实现技术迭代升级。
